SSD | HDD | NAS

Nhà sản xuất

Samsung

Model

MZ-V9P1T0BW

Chuẩn giao tiếp

PCIe Gen4.0 x4, NVMe 2.0

Kích thước

M.2 2280

Dung lượng

1 TB

Random 4k

1.200K /1.550K IOPS Read/ Write

Tốc độ đọc

7450 MB/s

Tốc độ ghi

6900 MB/s

NAND Flash

Samsung V-NAND 3-bit MLC

TBW

600 TB

Bảo hành

60 tháng hoặc 600TB TBW (Tùy điều kiện nào đến trước)

Phần mềm chuyển hệ điều hành đi kèm

Samsung Data Migration (Click to download)

Nhà sản xuất

SAMSUNG

Người mẫu

MZ-V8P1T0BW

Chuẩn giao tiếp

PCIe Gen4.0 x4, NVMe1.3c

Size

M.2 2280

Dung lượng

1 TB

4k ngẫu nhiên

1000.000 IOPS

read speed

7000 MB/giây

Tốc độ ghi

5000 MB/giây

đèn flash NAND

Samsung V-NAND 3-bit TLC

TBW

600 TB

Phần mềm chuyển hệ điều hành đi kèm

Samsung Data Migration  (Nhấp để tải xuống)

Hãng sản xuất

Samsung

Model

MZ-V7S500BW

Chuẩn giao tiếp

PCIe Gen3 x4 NVMe

Kích thước

M.2 2280

Dung lượng

500 GB

Random 4k

550.000 IOPS

Tốc độ đọc

3500 MB/s

Tốc độ ghi

3200 MB/s

NAND Flash

Samsung V-NAND TLC 96-Layers

TBW

300 TB

Bảo hành

60 tháng hoặc 300TB TBW *Tùy điều kiện nào đến trước 

Phần mềm chuyển hệ điều hành đi kèm

Samsung Data Migration (Click to download)

THƯƠNG HIỆU

MSI

TÊN MÔ HÌNH

SPATIUM M450 PCIe 4.0 NVMe M.2

DUNG TÍCH

1TB

BỘ ĐIỀU KHIỂN

PHISON E19T

BỘ NHỚ FLASH

3D NAND

YẾU TỐ HÌNH THỨC

M.2 2280

GIAO DIỆN

PCIe Gen4x4, NVMe 1.4

TƯƠNG THÍCH

PCIe Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1

KÍCH THƯỚC

80,00mm (Dài) x 22,00mm (W) x 2,15mm (H)

ĐỌC LÊN TỚI (MB/S)

3600

GHI LÊN TỚI (MB/S)

3000

ĐỌC NGẪU NHIÊN 4KB LÊN TỚI (IOPS)

420000

VIẾT NGẪU NHIÊN 4KB LÊN TỚI (IOPS)

550000

CÔNG SUẤT HOẠT ĐỘNG TỐI ĐA (W)

4

PS3 NGUỒN NHỎ (MW)

40

CÔNG SUẤT THẤP L1.2 (MW)

5

NHIỆT ĐỘ HOẠT ĐỘNG

0°C – 70°C

NHIỆT ĐỘ BẢO QUẢN

40-85 độ C

TERABYTE VIẾT (TBW)

600

THỜI GIAN TRUNG BÌNH GIỮA THẤT BẠI (MTBF)

Lên tới 1.500.000 giờ

BẢO HÀNH CÓ GIỚI HẠN

5 năm hoặc phạm vi bảo hiểm cho TBW tối đa như đã nêu, tùy điều kiện nào đến trước.

CÁC TÍNH NĂNG TIÊN TIẾN

TRIM (Tối ưu hóa hiệu suất, yêu cầu hỗ trợ hệ điều hành)
SMART (Công nghệ tự giám sát, phân tích và báo cáo)
LDPC (Kiểm tra chẵn lẻ mật độ thấp) Thuật toán ECC
Bảo vệ đường dẫn dữ liệu từ đầu đến cuối
APST (Chuyển đổi trạng thái nguồn điện tự động)
TCG Pyrite (Mã hóa, bảo mật dữ liệu)

Nhà sản xuất

Kingston

Model

SNV2S/1000G

Chuẩn giao tiếp

PCIe Gen4 x4 (tương thích ngược Gen 3.0)

Kích thước

M.2 2280

Dung lượng

1TB

Tốc độ đọc

3500 MB/s

Tốc độ ghi

2100 MB/s

MTBF

1,500,000 hours

NAND Flash

3D-NAND

TBW

320 TB

Bảo hành

3 năm chính hãng hoặc 320TB TBW *Tùy điều kiện nào đến trước

THƯƠNG HIỆU

MSI

MODEL NAME

SPATIUM M450 PCIe 4.0 NVMe M.2

CAPACITY

500GB

CONTROLLER

PHISON E19T

FLASH MEMORY

3D NAND

FORM FACTOR

M.2 2280

INTERFACE

PCIe Gen4x4, NVMe 1.4

COMPATIBILITY

PCIe Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1

DIMENSIONS

80.00mm (L) x 22.00mm (W) x 2.15mm (H)

SEQUENTIAL READ UP TO (MB/S)

3600

SEQUENTIAL WRITE UP TO (MB/S)

2300

RANDOM READ 4KB UP TO (IOPS)

300K

RANDOM WRITE 4KB UP TO (IOPS)

550K

MAXIMUM OPERATING POWER (W)

3.4

IDLE POWER PS3 (MW)

40

LOW POWER L1.2 (MW)

5

OPERATING TEMPERATURES

0°C – 70°C

STORAGE TEMPERATURES

-40°C – 85°C

TERABYTES WRITTEN (TBW)

300

MEAN TIME BETWEEN FAILURE (MTBF)

Up to 1,500,000 Hours

LIMITED WARRANTY

5 Years, or the coverage for the maximum TBW as stated, whichever comes first.

Advanced Features

TRIM (Performance Optimization, OS support required)
SMART (Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology)
LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm
End to End Data Path Protection
APST (Autonomous Power State Transition)
Pyrite (Encryption, Data Security)

Hãng sản xuất

Lexar

Model

LNM620X256G-RNNNG

Chuẩn giao tiếp

PCIe M.2 Gen3 x4

Kích thước

M.2 2280

Dung lượng

512 GB

Random read/write

200K/ 256K IOPS

Tốc độ đọc

3500MB/s

Tốc độ ghi

2400 MB/s

NAND Flash

3D-NAND TLC

TBW

250 TB

Bảo hành

60 tháng hoặc 250TB TBW *Tùy điều kiện nào đến trước (Chính sách bỏa hành)

Hãng sản xuất

KINGSTON

Mã part

SNV2S/500G

Dòng

SNV2S

Loại

Internal Solid State Drive (SSD)

Phân khúc

Consumer

CHI TIẾT

Chuẩn kích cỡ

M.2 2280

Dung lượng

500GB

Loại chip nhớ

3D-TLC

Giao tiếp

PCIe NVMe Gen 4.0x4

HIỆU NĂNG

Tốc độ đọc tối đa

Up to 3500 MBps

Tốc độ ghi tối đa

Up to 2100 MBps

MTBF

1,500,000 giờ

Kích thước

80mm x 22mm x 2.2 mm

Cân nặng

7 gram

Thương hiệu

 ADATA

Mã part

 ALEG-710-512GCS

Dòng

 Legend 710

Loại

 Internal Solid State Drive (SSD)

Chuẩn kích cỡ

 M.2 2280

Dung lượng

 512GB

Loại chip nhớ

 3D NAND

Giao tiếp

 NVMe PCIe Gen 3.0x4

Tốc độ đọc tối đa

 Up to 2400 MBps

Tốc độ ghi tối đa

 Up to 1800 MBps

MTBF

 1,500,000 giờ

Kích thước

 80 x 22 x 2.15mm

Cân nặng

 9g

thương hiệu

SAMSUNG

Dung lượng

256GB

Sample code

MZVLQ256HAJD

Chuẩn bị tiếp theo

PCIe Gen3 x4

Đọc tốc độ (MB)

2050 MB/giây

Ghi tốc độ (MB)

1000 MB/giây

Tự nhiên đọc tốc độ

64K IOPS

Tự nhiên ghi tốc độ

220K IOPS

Bảo hành

36 tháng

thương hiệu

PNY

Người mẫu

CS2241

Công suất sử dụng được

500GB

Linh kiện NAND

Bộ nhớ Flash 3D NAND

Giao diện

PCIe thế hệ 4x4

Yếu tố hình thức

M.2 2280

Đọc tuần tự tối đa*

Lên tới 4.700 MB/giây

Ghi tuần tự tối đa*

Lên tới 1.700 MB/giây

TBW

160TB

Quản lý năng lượng liên kết PCIe

PS0/ PS1/ PS2/ PS3/ PS4, APST, ASPM, L1.2

Nhiệt độ hoạt động

0°C đến 70°C

Nhiệt độ bảo quản

-40°C đến 85°C

Chứng nhận

BSMI, CE, FCC, KCC, REACH, RoHS, VCCI

MTBF

1.500.000 giờ

Kích thước gói hàng (L×W×H)

23x85x4.3mm

Kích thước sản phẩm (L×W×H)

22x80x4mm

Cân nặng

6,6g

Mã sửa lỗi

Thuật toán ECC LDPC (Kiểm tra chẵn lẻ mật độ thấp)

Giám sát tình trạng sản phẩm

Công nghệ tự giám sát, phân tích và báo cáo (SMART)

Bảo vệ đường dẫn dữ liệu toàn diện từ đầu đến cuối

Được hỗ trợ

Tối ưu hóa hiệu suất

TRIM (yêu cầu hỗ trợ hệ điều hành)

Sự bảo đảm

Bảo hành có giới hạn 5 năm hoặc TBW

THương hiệu

MSI

Model

SPATIUM M390

Loại

Internal Solid State Drive (SSD)

Phân khúc

Consumer

CHI TIẾT

Chuẩn kích cỡ

M.2 2280

Dung lượng

250GB

Loại chip nhớ

3D NAND

Giao tiếp

NVMe PCIe Gen 3.0 x 4

HIỆU NĂNG

Tốc độ đọc tối đa

Up to 3300 MBps

Tốc độ ghi tối đa

Up to 1200 MBps

Kích thước

80 mm x 22 mm x 2.15 mm

MTBF

1,500,000 giờ

Nhà sản xuất

Lexar

Model

LNM610-250RB

Chuẩn giao tiếp

PCIe Gen3 x4

Kích thước

M.2 2280

Dung lượng

250 GB

Random 4k

150.000 IOPS

Tốc độ đọc

2000 MB/s

Tốc độ ghi

1200 MB/s

NAND Flash

3D-NAND TLC

TBW

125 TB

Hãng sản xuất

TRM (Phân phối bởi XTREND)

Model

N100 Pro 256GB

Form Factor

M.2 2280

NAND Flash

3D TLC/QLC Nand Flash

Dung lượng

256GB

Kích thước

80 x 22 (mm)

Trong lượng

Giao tiếp

PCIE3.1 x4

Tốc độ đọc/ghi tuần tự (tối đa)

Upto 2130/1720 MB/s

Tốc độ đọc ghi thực tế có thể dao động phụ thuộc vào dung lượng còn trống, cấu hình máy tính, phần mềm cài đặt và nhiều nguyên nhân khác

MTBF

1,500,000 giờ

Chống sốc

1500G

Nhiệt độ hoạt động

0°C – 70°C

Thương hiệu

APACER

Mã part

AP256GAS2280P4-1

Dòng

AS2280P4

Loại

Internal Solid State Drive (SSD)

Phân khúc

Consumer

CHI TIẾT

Chuẩn kích cỡ

2280

Dung lượng

256GB

Loại chip nhớ

3D-NAND

Giao tiếp

PCIe NVMe 3x4

HIỆU NĂNG

Tốc độ đọc tối đa

Up to 2100 MBps

Tốc độ ghi tối đa

Up to 1300 MBps

MTBF

1,500,000 hours

KÍCH CỠ&CÂN NẶNG

Dầy

2.25mm

Chiều ngang

80mm

Chiều dọc

22mm

Thương hiệu

GIGABYTE

Dòng

Mã part

GP-GSM2NE3256GNTD

Loại

Internal Solid State Drive (SSD)

Phân khúc

Consumer

CHI TIẾT

Chuẩn kích cỡ

M.2

Dung lượng

256GB

Loại chip nhớ

NAND Flash

Giao tiếp

PCIe NVMe Gen 3.0x4

HIỆU NĂNG

Tốc độ đọc tối đa

Up to 1700 MBps

Tốc độ ghi tối đa

Up to 1100 MBps

MTBF

1,500,000 hours

KÍCH CỠ&CÂN NẶNG

Dầy

2.3mm

Chiều ngang

80mm

Chiều dọc

20mm

Trọng lượng

Hãng sản xuất

Samsung

Model

MZ-V7S1T0BW

Chuẩn giao tiếp

PCIe Gen3 x4 NVMe

Kích thước

M.2 2280

Dung lượng

1 TB

Random 4k

550.000 IOPS

Tốc độ đọc

3500 MB/s

Tốc độ ghi

3300 MB/s

NAND Flash

Samsung V-NAND TLC 96-Layers

TBW

600 TB

Bảo hành

60 tháng hoặc 600TB TBW *Tùy điều kiện nào đến trước 

Phần mềm chuyển hệ điều hành đi kèm

Samsung Data Migration (Click to download)

PCIe 3.0 x4 with NVMe 1.3

128GB / 256GB / 512GB / 1TB / 2TB^[2]

DC +3.3V

0˚C ~ 70˚C

-40˚C ~ 85˚C

128GB / >75TB 
256GB / >150TB 
512GB / >350TB 
1TB / >600TB 
2TB / >1000TB^[3]

Crystal Disk Mark:
128GB Read/Write: up to 1,500/500 MB/s
256GB Read/Write: up to 1,600/1,000 MB/s
512GB Read/Write: up to 1,700/1,400 MB/s
1TB Read/Write: up to 1,800/1,500 MB/s
2TB Read/Write: up to 1,800/1,500 MB/s^[1]

IOPS:
128GB Read/Write: 90K/100K IOPS Max
256GB Read/Write: 160K/200K IOPS Max
512GB Read/Write: 220K/200K IOPS Max
1TB Read/Write: 220K/200K IOPS Max
2TB Read/Write: 220K/200K IOPS Max^[1]

• Windows 10, Windows 8.1, Windows 8, Windows 7^[4]
• Linux 2.6.33 or later

MODEL

SNV4/512GB

NVME / REV

NVME REV.1.3 - WITH BACKWARDS COMPATIBILITY TO
/NVME REV. 1.1

STORAGE INTERFACE

PCIE GEN3 X4

FORM FACTOR

M.2-2280

BUFFER SIZE

512TB

INTERNAL DATA RATE

SEQUENTIAL READ

3.500 MB/S

SEQUENTIAL WRITE

3.000 MB/S