SSD

Hãng sản xuất

Samsung

Model

PM9A1 (MZ-VL2256A)

Dung lượng

256GB

Chuẩn giao tiếp

PCIe Gen3 x4, NVMe 1.3

Form Factor

M.2 2280 (80mm x 22mm)

Controller

Samsung Elpis (S4LV003), 5 nhân ARM Cortex-R8, tiến trình 8nm

NAND Flash

Samsung V-NAND V6 128-layer TLC

Bộ nhớ đệm (DRAM Cache)

512MB LPDDR4-1866

Tốc độ đọc tuần tự

Lên đến 3.500 MB/s

Tốc độ ghi tuần tự

Lên đến 2.300 MB/s

Tốc độ đọc ngẫu nhiên

400.000 IOPS

Tốc độ ghi ngẫu nhiên

500.000 IOPS

Bộ nhớ đệm SLC

Khoảng 49GB (45GB động + 4GB tĩnh)

Tốc độ ghi khi hết cache

Khoảng 500 MB/s

Độ bền (TBW)

150 TBW

MTBF

1.5 triệu giờ

Mã hóa dữ liệu

AES-128, AES-256, TCG Opal

Tương thích

PC, laptop, PS5 (có hỗ trợ PCIe Gen3)

Tính năng hỗ trợ

TRIM, SMART

Hãng sản xuất

Lexar

Model

NM620

Dung lượng

256GB

Loại SSD

NVMe

Giao tiếp

PCIe Gen3 x4

Form Factor

M.2 2280

Tốc độ đọc tuần tự (Sequential Read)

Lên đến 3500 MB/s

Tốc độ ghi tuần tự (Sequential Write)

Lên đến 1300 MB/s

Tốc độ đọc ngẫu nhiên (Random Read IOPS)

Lên đến 200,000 IOPS

Tốc độ ghi ngẫu nhiên (Random Write IOPS)

Lên đến 300,000 IOPS

Độ bền (MTBF)

1.5 triệu giờ

TBW (Total Bytes Written)

125 TB

Tính năng đặc biệt

Hỗ trợ NVMe 1.3, quản lý điện năng tiên tiến, chống rung, chống sốc

Bảo hành

5 năm

Hỗ trợ hệ điều hành

Windows, macOS, Linux

Nhiệt độ hoạt động

0°C đến 70°C

Nhiệt độ lưu trữ

-40°C đến 85°C

Điện năng tiêu thụ

Hoạt động: 3.5W, Nhàn rỗi: 2.5mW

Kích thước

22 x 80 x 2.25 mm

Khối lượng

9g

Hãng sản xuất

HIKSEMI

Model

HS-SSD-WAVE(P) 256G

Kích thước sản phẩm

M.2 2280

Dung lượng

256GB

Tối đa. Seq. Đọc (MB/giây)

2280MB/giây

Tối đa. Seq. Write (MB/S)

1800MB/giây

Tốc độ đọc tối đa 4K IOPS

90 k

Tốc độ chạy tối đa 4K ghi IOPS

320K

Tiêu thụ điện năng tối đa

1,6W

TBW

100TB

Phương tiện lưu trữ

Bộ nhớ 3D

Bảo hành chính hãng

3 năm

Hãng sản xuất

TRM (Phân phối bởi XTREND)

Model

N100 Pro 256GB

Form Factor

M.2 2280

NAND Flash

3D TLC/QLC Nand Flash

Dung lượng

256GB

Kích thước

80 x 22 (mm)

Trong lượng

Giao tiếp

PCIE3.1 x4

Tốc độ đọc/ghi tuần tự (tối đa)

Upto 2130/1720 MB/s

Tốc độ đọc ghi thực tế có thể dao động phụ thuộc vào dung lượng còn trống, cấu hình máy tính, phần mềm cài đặt và nhiều nguyên nhân khác

MTBF

1,500,000 giờ

Chống sốc

1500G

Nhiệt độ hoạt động

0°C – 70°C

Thương hiệu

Dynabook

Model

Boost AX3600

Dung lượng

256GB

Kích thước

M.2 2280

Chuẩn giao tiếp

PCIe 3 x 4, NVMe 1.3

Tốc độ đọc

lên tới 2200MB/s (dung lượng 1024GB)

Tốc độ ghi

lên tới 1700MB/s (dung lượng 1024GB)

MTBF

1.5M giờ

Điện năng tiêu thụ

Chế độ hoạt động: <4W

Chế độ nghỉ: <30 mW

Phạm vi nhiệt độ

Hoạt động: 0˚C đến 70˚C

Bảo quản: -40˚C đến 85˚C

Thời gian bảo hành

36 tháng

Thương hiệu

TEAM

Mã part

MP33

Loại

Internal Solid State Drive (SSD)

Chuẩn kích cỡ

M.2 2280

Dung lượng

256GB

Giao tiếp

NVMe PCIe Gen 3.0 x 4

Tốc độ đọc

Up to 1600 MBps

Tốc độ ghi

Up to 1000 MBps

Dầy

2.2mm

Chiều ngang

80mm

Chiều dọc

12mm

Trọng lượng

4.5g

thương hiệu

SAMSUNG

Dung lượng

256GB

Sample code

MZVLQ256HAJD

Chuẩn bị tiếp theo

PCIe Gen3 x4

Đọc tốc độ (MB)

2050 MB/giây

Ghi tốc độ (MB)

1000 MB/giây

Tự nhiên đọc tốc độ

64K IOPS

Tự nhiên ghi tốc độ

220K IOPS

Bảo hành

36 tháng

Thương hiệu

GIGABYTE

Dòng

Mã part

GP-GSM2NE3256GNTD

Loại

Internal Solid State Drive (SSD)

Phân khúc

Consumer

CHI TIẾT

Chuẩn kích cỡ

M.2

Dung lượng

256GB

Loại chip nhớ

NAND Flash

Giao tiếp

PCIe NVMe Gen 3.0x4

HIỆU NĂNG

Tốc độ đọc tối đa

Up to 1700 MBps

Tốc độ ghi tối đa

Up to 1100 MBps

MTBF

1,500,000 hours

KÍCH CỠ&CÂN NẶNG

Dầy

2.3mm

Chiều ngang

80mm

Chiều dọc

20mm

Trọng lượng

Thương hiệu

APACER

Mã part

AP256GAS2280P4-1

Dòng

AS2280P4

Loại

Internal Solid State Drive (SSD)

Phân khúc

Consumer

CHI TIẾT

Chuẩn kích cỡ

2280

Dung lượng

256GB

Loại chip nhớ

3D-NAND

Giao tiếp

PCIe NVMe 3x4

HIỆU NĂNG

Tốc độ đọc tối đa

Up to 2100 MBps

Tốc độ ghi tối đa

Up to 1300 MBps

MTBF

1,500,000 hours

KÍCH CỠ&CÂN NẶNG

Dầy

2.25mm

Chiều ngang

80mm

Chiều dọc

22mm