SSD | HDD | NAS

Hãng sản xuất

Samsung

Dòng sản phẩm

990 EVO Plus

Model

MZ-V9S1T0BW

Dung lượng

1 TB (1000GB)

Form Factor

M.2 2280

Chuẩn giao tiếp

PCIe Gen 4.0 x4 NVMe
PCIe Gen 5.0 x2 NVMe

Bộ nhớ đệm (DRAM)

HMB (Host Memory Buffer)

Loại bộ nhớ NAND

Samsung V-NAND TLC (V8)

Tốc độ đọc tuần tự

Lên đến 7150 MB/s

Tốc độ ghi tuần tự

Lên đến 6300 MB/s

Tốc độ đọc ngẫu nhiên

850,000 IOPS

Tốc độ ghi ngẫu nhiên

1,350,000 IOPS

Phần mềm hỗ trợ

Samsung Magician

Độ bền (TBW)

600 TB

Nhiệt độ hoạt động

0°C đến 70°C

Nhiệt độ lưu trữ

-40°C đến 85°C

Tính năng hỗ trợ

TRIM, S.M.A.R.T, Garbage Collection, NVMe 2.0, Mã hóa AES 256-bit

Tương thích

PC, Laptop, PS5 (có khe M.2 PCIe Gen4/Gen5)

Kích thước (DxRxC)

80 x 22 x 2.3 mm

Trọng lượng

Khoảng 9g

Thời gian bảo hành

60 tháng hoặc trong giới hạn TBW (Tùy điều kiện nào đến trước)

Hãng sản xuất

Western Digital (WD)

Dòng sản phẩm

WD Blue SN5000 NVMe

Model

WDS100T4B0E

Dung lượng

1TB (1000GB)

Chuẩn giao tiếp

PCIe Gen4 x4, NVMe 1.3

Form Factor

M.2 2280 (80mm x 22mm)

Tốc độ đọc tuần tự

Lên đến 5.100 MB/s

Tốc độ ghi tuần tự

Lên đến 4.900 MB/s

Tốc độ đọc ngẫu nhiên

Lên đến 520.000 IOPS

Tốc độ ghi ngẫu nhiên

Lên đến 800.000 IOPS

Loại bộ nhớ NAND

3D TLC NAND

Bộ nhớ đệm (DRAM)

Không có (Sử dụng công nghệ nCache 4.0)

Độ bền (TBW)

600 TBW

MTBF (Thời gian giữa 2 lần hỏng)

1.5 triệu giờ

Nhiệt độ hoạt động

0°C đến 70°C

Nhiệt độ lưu trữ

-55°C đến 85°C

Điện áp hoạt động

3.3V DC

Tính năng hỗ trợ

TRIM, S.M.A.R.T, nCache 4.0, Low Power Consumption

Tương thích

PC, Laptop, PS5 (có khe M.2 PCIe Gen4)

Kích thước (DxRxC)

80.15 x 22.15 x 2.38 mm

Trọng lượng

Khoảng 5.7g

Bảo hành

3 năm

Hãng sản xuất

Kingston

Người mẫu

NV3 1TB PCIe 4.0 x4 M.2 NVMe

Loại ổ cứng

SSD M.2 NVMe PCIe thế hệ 4

Dung lượng

1TB

Chuẩn bị giao tiếp

PCIe 4.0 x4

Kích thước

22mm x 80mm x 2,3mm

Sequence read speed

6.000 MB/giây

Tốc độ ghi tuần tự

4.000 MB/giây

NAND

Bộ nhớ 3D

Độ bền (TBW)

320TB

Nhiệt độ bảo quản

-40°C ~ 85°C

Nhiệt độ hoạt động

0°C ~ 70°C

Trọng lượng

7g

Mức độ khi không vận hành

20G (10-1000Hz)

Tuổi thọ trung bình

2.000.000 giờ

Bảo hành/hỗ trợ

Bảo hành có giới hạn 3 năm, hỗ trợ kỹ thuật miễn phí

Tính năng nổi bật

Tốc độ cao, hiệu suất ổn định, tiêu thụ điện năng thấp, tối ưu cho chơi game & làm việc đa nhiệm

Ứng dụng lý tưởng

Nâng cấp laptop, PC, game, xử lý đồ họa và đa tác vụ

Thương hiệu

SAMSUNG

Tên sản phẩm

Ổ cứng SSD Samsung 990 PRO 1TB PCIe NVMe Gen4x4

Model

MZ-V9P1T0BW

Dung lượng

1 TB

Form Factor

M.2 2280

Giao diện

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

Kích thước (RxCxS)

80 x 22 x 2.3 mm

Trọng lượng

Tối đa 9.0g

Dung lượng bộ nhớ

Samsung V-NAND TLC

Bộ điều khiển

Samsung sản xuất nội bộ

Bộ nhớ Cache

Samsung 1GB DDR4 SDRAM công suất thấp

Tính năng chung

Mục đích sử dụng

Máy tính cá nhân, Máy chơi game

Capacity

1.000GB (1GB=1 tỷ byte theo IDEMA) * Dung lượng sử dụng thực tế có thể ít hơn (do định dạng, phân vùng, hệ điều hành, ứng dụng, v.v.)

Tính năng đặc biệt

Hỗ trợ TRIM

Có

Hỗ trợ S.M.A.R.T

Có

GC (Bộ thu gom rác)

Thuật toán thu gom rác tự động

Hỗ trợ mã hóa

Mã hóa AES 256-bit (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (Ổ đĩa được mã hóa)

Hỗ trợ WWN

Không

Chế độ chờ

Có

Hiệu suất

Tốc độ đọc tuần tự

Lên tới 7.450 MB/s * Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Tốc độ ghi tuần tự

Lên tới 6.900 MB/s * Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Đọc ngẫu nhiên (4KB, QD32)

Lên tới 1.200.000 IOPS * Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Ghi ngẫu nhiên (4KB, QD32)

Lên tới 1.550.000 IOPS * Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Đọc ngẫu nhiên (4KB, QD1)

Lên tới 22.000 IOPS * Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Ghi ngẫu nhiên (4KB, QD1)

Lên tới 80.000 IOPS * Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Môi trường

Tiêu thụ điện năng trung bình (Mức hệ thống)

Trung bình: 5,5 W, Tối đa: 7,8 W (Chế độ truyền tốc độ cao) * Mức tiêu thụ điện năng thực tế có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Tiêu thụ điện năng (không tải)

Tối đa 50 mW * Mức tiêu thụ điện năng thực tế có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Điện áp cho phép

3,3 V ± 5 % điện áp cho phép

Độ tin cậy (MTBF)

Bền bỉ 1,5 triệu giờ (MTBF)

Nhiệt độ vận hành

0 - 70℃

Va chạm

1.500 G & 0,5 ms (Nửa chu kỳ hình sin)

Phụ kiện đi kèm

Bộ cài đặt

Không có sẵn

Phần mềm quản lý

Phần mềm Magician quản lý SSD

Thời gian bảo hành

5 năm hoặc trong giới hạn TBW (tùy điều kiện nào đến trước)

Hãng sản xuất

ADATA XPG

Model

XPG SX8200 Pro

Dung Lượng

1TB

Hệ Số Hình Dạng

M.2 2280

NAND Flash

3D TLC

Bộ điều khiển

SM2262

Kích cỡ (D x R x C)

80 x 22 x 3,5mm / 3,15 x 0,87 x 0,14"

Trọng Lượng

8g / 0,28oz

Giao Diện

PCIe Gen3x4

Đọc Nối Tiếp (Max)

Lên tới 3500MB/s

Ghi Nối Tiếp (Max)

Lên tới 3000MB/s

IOPS Đọc Ngẫu Nhiên 4KB (Max)

Lên tới 390K

IOPS Ghi Ngẫu Nhiên 4KB (Max)

Lên tới 380K

Nhiệt độ hoạt động

0°C - 70°C

Nhiệt độ bảo quản

-40°C-85°C

Dung Lượng Terabytes Ghi Được (TBW)(Dung Lượng Tối Đa*)

1280TB

Chống sốc

1500 G / 0,5ms

MTBF

2.000.000 giờ

Bảo hành

Bảo hành 5 năm

Lưu ý

Hiệu suất có thể thay đổi tuỳ thuộc vào dung lượng ổ cứng SSD, phần cứng và phần mềm chủ, hệ điều hành và các loại hệ thống khác

Ổ cứng SSD dựa trên TBW và thời gian bảo hành.

Truy cập trang https://www.xpg.com/vn/support/xpg?tab=warranty&warranty=warrantyService để biết thêm chi tiết.

Nhà sản xuất

Samsung

Model

MZ-V9P1T0BW

Chuẩn giao tiếp

PCIe Gen4.0 x4, NVMe 2.0

Kích thước

M.2 2280

Dung lượng

1 TB

Random 4k

1.200K /1.550K IOPS Read/ Write

Tốc độ đọc

7450 MB/s

Tốc độ ghi

6900 MB/s

NAND Flash

Samsung V-NAND 3-bit MLC

TBW

600 TB

Bảo hành

60 tháng hoặc 600TB TBW (Tùy điều kiện nào đến trước)

Phần mềm chuyển hệ điều hành đi kèm

Samsung Data Migration (Click to download)

THƯƠNG HIỆU

MSI

TÊN MÔ HÌNH

SPATIUM M450 PCIe 4.0 NVMe M.2

DUNG TÍCH

1TB

BỘ ĐIỀU KHIỂN

PHISON E19T

BỘ NHỚ FLASH

3D NAND

YẾU TỐ HÌNH THỨC

M.2 2280

GIAO DIỆN

PCIe Gen4x4, NVMe 1.4

TƯƠNG THÍCH

PCIe Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1

KÍCH THƯỚC

80,00mm (Dài) x 22,00mm (W) x 2,15mm (H)

ĐỌC LÊN TỚI (MB/S)

3600

GHI LÊN TỚI (MB/S)

3000

ĐỌC NGẪU NHIÊN 4KB LÊN TỚI (IOPS)

420000

VIẾT NGẪU NHIÊN 4KB LÊN TỚI (IOPS)

550000

CÔNG SUẤT HOẠT ĐỘNG TỐI ĐA (W)

4

PS3 NGUỒN NHỎ (MW)

40

CÔNG SUẤT THẤP L1.2 (MW)

5

NHIỆT ĐỘ HOẠT ĐỘNG

0°C – 70°C

NHIỆT ĐỘ BẢO QUẢN

40-85 độ C

TERABYTE VIẾT (TBW)

600

THỜI GIAN TRUNG BÌNH GIỮA THẤT BẠI (MTBF)

Lên tới 1.500.000 giờ

BẢO HÀNH CÓ GIỚI HẠN

5 năm hoặc phạm vi bảo hiểm cho TBW tối đa như đã nêu, tùy điều kiện nào đến trước.

CÁC TÍNH NĂNG TIÊN TIẾN

TRIM (Tối ưu hóa hiệu suất, yêu cầu hỗ trợ hệ điều hành)
SMART (Công nghệ tự giám sát, phân tích và báo cáo)
LDPC (Kiểm tra chẵn lẻ mật độ thấp) Thuật toán ECC
Bảo vệ đường dẫn dữ liệu từ đầu đến cuối
APST (Chuyển đổi trạng thái nguồn điện tự động)
TCG Pyrite (Mã hóa, bảo mật dữ liệu)

Thương hiệu

Kingston

Mã part

SNV2S/1000G

Dòng

SNV2S

Loại

Internal Solid State Drive (SSD)

Phân khúc

Consumer

Dung lượng ổ cứng

1TB

Form Factor

M.2 2280

Chuẩn kết nối

PCIe Gen 4.0 x4 NVMe

Loại chip nhớ

3D-TLC

Tốc độ đọc tuần tự

Lên đến 3500MB/s

Tốc độ ghi tuần tự

Lên đến 2100MB/s

DRAM

Không có

Tốc độ đọc ngẫu nhiên

-

Tốc độ ghi ngẫu nhiên

-

Độ bền (TBW)

320 TB

MTBF (Thời gian giữa các lần hỏng)

1,500,000 giờ

Phần mềm

Kingston SSD Manager

Thời gian bảo hành

36 tháng hoặc trong giới hạn TBW (tùy điều kiện nào đến trước)

Kích thước

80mm x 22mm x 2.2 mm

Cân nặng

7 gram

Nhiệt độ hoạt động

0°C ~ 70°C

Nhiệt độ bảo quản

-40°C ~ 85°C

Chống sốc

1500G

Nhà sản xuất

Quan trọng (Micron Hoa Kỳ)

Người mẫu

CT1000P3SSD8

Chuẩn giao tiếp

M.2 NVMe PCIe Gen3 x4

Size

2280

Dung lượng

1 TB

4k ngẫu nhiên

Đọc/ghi 650K/700K IOPS

Đọc tuần tự

3500 MB/giây

Ghi tuần tự

3000 MB/giây

TBW

220 TB

đèn flash NAND

Micron 3D-NAND TLC

Bảo hành

60 tháng (xem thêm chính sách bảo hành tại nhiệm)

Phần mềm điều hành hệ thống

Hình ảnh thật của Acronis cho Crucial (Bấm vào đây)

Hãng sản xuất

Samsung

Model

MZ-V7S1T0BW

Chuẩn giao tiếp

PCIe Gen3 x4 NVMe

Kích thước

M.2 2280

Dung lượng

1 TB

Random 4k

550.000 IOPS

Tốc độ đọc

3500 MB/s

Tốc độ ghi

3300 MB/s

NAND Flash

Samsung V-NAND TLC 96-Layers

TBW

600 TB

Bảo hành

60 tháng hoặc 600TB TBW *Tùy điều kiện nào đến trước 

Phần mềm chuyển hệ điều hành đi kèm

Samsung Data Migration (Click to download)

Nhà sản xuất

SAMSUNG

Người mẫu

MZ-V8P1T0BW

Chuẩn giao tiếp

PCIe Gen4.0 x4, NVMe1.3c

Size

M.2 2280

Dung lượng

1 TB

4k ngẫu nhiên

1000.000 IOPS

read speed

7000 MB/giây

Tốc độ ghi

5000 MB/giây

đèn flash NAND

Samsung V-NAND 3-bit TLC

TBW

600 TB

Phần mềm chuyển hệ điều hành đi kèm

Samsung Data Migration  (Nhấp để tải xuống)