SSD

Hãng sản xuất

KINGSTON

Mã part

SNV2S/500G

Dòng

SNV2S

Loại

Internal Solid State Drive (SSD)

Phân khúc

Consumer

CHI TIẾT

Chuẩn kích cỡ

M.2 2280

Dung lượng

500GB

Loại chip nhớ

3D-TLC

Giao tiếp

PCIe NVMe Gen 4.0x4

HIỆU NĂNG

Tốc độ đọc tối đa

Up to 3500 MBps

Tốc độ ghi tối đa

Up to 2100 MBps

MTBF

1,500,000 giờ

Kích thước

80mm x 22mm x 2.2 mm

Cân nặng

7 gram

Hãng sản xuất

Lexar

Model

LNM620X256G-RNNNG

Chuẩn giao tiếp

PCIe M.2 Gen3 x4

Kích thước

M.2 2280

Dung lượng

512 GB

Random read/write

200K/ 256K IOPS

Tốc độ đọc

3500MB/s

Tốc độ ghi

2400 MB/s

NAND Flash

3D-NAND TLC

TBW

250 TB

Bảo hành

60 tháng hoặc 250TB TBW *Tùy điều kiện nào đến trước (Chính sách bỏa hành)

Nhà sản xuất

Samsung

Model

MZ-V9P1T0BW

Chuẩn giao tiếp

PCIe Gen4.0 x4, NVMe 2.0

Kích thước

M.2 2280

Dung lượng

1 TB

Random 4k

1.200K /1.550K IOPS Read/ Write

Tốc độ đọc

7450 MB/s

Tốc độ ghi

6900 MB/s

NAND Flash

Samsung V-NAND 3-bit MLC

TBW

600 TB

Bảo hành

60 tháng hoặc 600TB TBW (Tùy điều kiện nào đến trước)

Phần mềm chuyển hệ điều hành đi kèm

Samsung Data Migration (Click to download)

Hãng sản xuất

Samsung

Model

MZ-V7S500BW

Chuẩn giao tiếp

PCIe Gen3 x4 NVMe

Kích thước

M.2 2280

Dung lượng

500 GB

Random 4k

550.000 IOPS

Tốc độ đọc

3500 MB/s

Tốc độ ghi

3200 MB/s

NAND Flash

Samsung V-NAND TLC 96-Layers

TBW

300 TB

Bảo hành

60 tháng hoặc 300TB TBW *Tùy điều kiện nào đến trước 

Phần mềm chuyển hệ điều hành đi kèm

Samsung Data Migration (Click to download)

THƯƠNG HIỆU

MSI

MODEL NAME

SPATIUM M450 PCIe 4.0 NVMe M.2

CAPACITY

500GB

CONTROLLER

PHISON E19T

FLASH MEMORY

3D NAND

FORM FACTOR

M.2 2280

INTERFACE

PCIe Gen4x4, NVMe 1.4

COMPATIBILITY

PCIe Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1

DIMENSIONS

80.00mm (L) x 22.00mm (W) x 2.15mm (H)

SEQUENTIAL READ UP TO (MB/S)

3600

SEQUENTIAL WRITE UP TO (MB/S)

2300

RANDOM READ 4KB UP TO (IOPS)

300K

RANDOM WRITE 4KB UP TO (IOPS)

550K

MAXIMUM OPERATING POWER (W)

3.4

IDLE POWER PS3 (MW)

40

LOW POWER L1.2 (MW)

5

OPERATING TEMPERATURES

0°C – 70°C

STORAGE TEMPERATURES

-40°C – 85°C

TERABYTES WRITTEN (TBW)

300

MEAN TIME BETWEEN FAILURE (MTBF)

Up to 1,500,000 Hours

LIMITED WARRANTY

5 Years, or the coverage for the maximum TBW as stated, whichever comes first.

Advanced Features

TRIM (Performance Optimization, OS support required)
SMART (Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology)
LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm
End to End Data Path Protection
APST (Autonomous Power State Transition)
Pyrite (Encryption, Data Security)

THƯƠNG HIỆU

MSI

TÊN MÔ HÌNH

SPATIUM M450 PCIe 4.0 NVMe M.2

DUNG TÍCH

1TB

BỘ ĐIỀU KHIỂN

PHISON E19T

BỘ NHỚ FLASH

3D NAND

YẾU TỐ HÌNH THỨC

M.2 2280

GIAO DIỆN

PCIe Gen4x4, NVMe 1.4

TƯƠNG THÍCH

PCIe Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1

KÍCH THƯỚC

80,00mm (Dài) x 22,00mm (W) x 2,15mm (H)

ĐỌC LÊN TỚI (MB/S)

3600

GHI LÊN TỚI (MB/S)

3000

ĐỌC NGẪU NHIÊN 4KB LÊN TỚI (IOPS)

420000

VIẾT NGẪU NHIÊN 4KB LÊN TỚI (IOPS)

550000

CÔNG SUẤT HOẠT ĐỘNG TỐI ĐA (W)

4

PS3 NGUỒN NHỎ (MW)

40

CÔNG SUẤT THẤP L1.2 (MW)

5

NHIỆT ĐỘ HOẠT ĐỘNG

0°C – 70°C

NHIỆT ĐỘ BẢO QUẢN

40-85 độ C

TERABYTE VIẾT (TBW)

600

THỜI GIAN TRUNG BÌNH GIỮA THẤT BẠI (MTBF)

Lên tới 1.500.000 giờ

BẢO HÀNH CÓ GIỚI HẠN

5 năm hoặc phạm vi bảo hiểm cho TBW tối đa như đã nêu, tùy điều kiện nào đến trước.

CÁC TÍNH NĂNG TIÊN TIẾN

TRIM (Tối ưu hóa hiệu suất, yêu cầu hỗ trợ hệ điều hành)
SMART (Công nghệ tự giám sát, phân tích và báo cáo)
LDPC (Kiểm tra chẵn lẻ mật độ thấp) Thuật toán ECC
Bảo vệ đường dẫn dữ liệu từ đầu đến cuối
APST (Chuyển đổi trạng thái nguồn điện tự động)
TCG Pyrite (Mã hóa, bảo mật dữ liệu)

Nhà sản xuất

Kingston

Model

SNV2S/1000G

Chuẩn giao tiếp

PCIe Gen4 x4 (tương thích ngược Gen 3.0)

Kích thước

M.2 2280

Dung lượng

1TB

Tốc độ đọc

3500 MB/s

Tốc độ ghi

2100 MB/s

MTBF

1,500,000 hours

NAND Flash

3D-NAND

TBW

320 TB

Bảo hành

3 năm chính hãng hoặc 320TB TBW *Tùy điều kiện nào đến trước

Nhà sản xuất

Quan trọng (Micron Hoa Kỳ)

Người mẫu

CT1000P3SSD8

Chuẩn giao tiếp

M.2 NVMe PCIe Gen3 x4

Size

2280

Dung lượng

1 TB

4k ngẫu nhiên

Đọc/ghi 650K/700K IOPS

Đọc tuần tự

3500 MB/giây

Ghi tuần tự

3000 MB/giây

TBW

220 TB

đèn flash NAND

Micron 3D-NAND TLC

Bảo hành

60 tháng (xem thêm chính sách bảo hành tại nhiệm)

Phần mềm điều hành hệ thống

Hình ảnh thật của Acronis cho Crucial (Bấm vào đây)

Nhà sản xuất

Samsung

Model

MZ-77E1T0BW

Kích thước

2.5", 6,8mm

Chuần giao tiếp

Sata III 6Gbit/s

 Dung lượng

1 TB 

Tốc độ đọc

560 MB/s

Tốc độ ghi

530 MB/s

4k random

98K IOPS Samsung 512Gbit 128-layer 3D TLC V-NAND

TBW

600 TB

Nhà sản xuất

SAMSUNG

Người mẫu

MZ-V8P1T0BW

Chuẩn giao tiếp

PCIe Gen4.0 x4, NVMe1.3c

Size

M.2 2280

Dung lượng

1 TB

4k ngẫu nhiên

1000.000 IOPS

read speed

7000 MB/giây

Tốc độ ghi

5000 MB/giây

đèn flash NAND

Samsung V-NAND 3-bit TLC

TBW

600 TB

Phần mềm chuyển hệ điều hành đi kèm

Samsung Data Migration  (Nhấp để tải xuống)

Nhà sản xuất

Samsung

Model

MZ-76E250BW

Kích thước

2.5", 6,8mm

Chuần giao tiếp

Sata III 6Gbit/s

 Dung lượng

250 GB

Tốc độ đọc

550 MB/s

Tốc độ ghi

520 MB/s

4k random

98K IOPS Samsung 64-layer 3D TLC V-NAND

TBW

150 TB

Tuổi thọ

1,5 triệu giờ hoạt động

Nhiệt độ hoạt động

0~70℃

Nhiệt độ bảo quản

-45°C ~ 85°C